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ルネサスエレクトロニクスのインターンシップ情報

ルネサスエレクトロニクスの開催予定インターン

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ルネサスエレクトロニクスのインターンの傾向をAIが要約

過去のインターンの内容/インターンの難易度/インターンの参加学生/インターン参加前のイメージ/インターン参加後のイメージ

ルネサスエレクトロニクスの

過去のインターンの内容

半導体製造の全工程を網羅した5日間の実務体験と講義

ルネサスエレクトロニクスのインターンシップは、主に5日間の日程で実施されています。 参加者は、半導体の製造工程や装置の役...

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ルネサスエレクトロニクスの過去に開催したインターン

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ルネサスエレクトロニクスのインターンに対するクチコミ

4.0
26年卒
社風・人の魅力
明るく親切な人たちばっかりだった。
26年卒
本選考への影響度
早期選考をもらえるので、影響すると思います。
26年卒
選考の難易度
社員のかた曰く、倍率は高いらしい。
26年卒
社風・人の魅力
常に一人以上社員の方がついてくれて助かりました。
26年卒
業界・事業の情報
企業説明会で詳しく説明を受けました
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ルネサスエレクトロニクスのインターンシップの体験談

26年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

筑波大学大学院 | 理系
【試験科目】言語・非言語・性格検査 【各科目の問題数と制限時間】通常のテストセンターと同様 【対策方法】・SPIの参考書の問題を繰り返し解くことで出題形式になれるようにしました。

26年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【試験科目】言語・非言語・英語 【各科目の問題数と制限時間】32問(15分)、計数:29問(15分)、英語:20問(10分) 【対策方法】参考書を一周ほど解いて問題形式になれるようにした。他の企業を受けて実践練習もした。 【参考にした書籍・WEBサイト】SPI実践問題集

26年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

長崎大学大学院 | 理系
【試験科目】言語・非言語 【各科目の問題数と制限時間】通常のSPIと同様 【対策方法】SPIは3か月前くらいから、参考書を用いて学習を行いました。

25年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【試験科目】言語非言語性格 【各科目の問題数と制限時間】通常通り 【対策方法】特になし

25年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【試験科目】言語、非言語、性格診断 【対策方法】特別なことはないため参考書等で勉強を行った

25年卒 インターンシップ参加面接 / インターンシップ選考

大学非公開 | 文系
【面接官の特徴(役職・肩書き・入社年次など)】人事 サプライチェーンマネジメント現場職員2名 【会場到着から選考終了までの流れ】リンクにアクセスして開始 【質問内容】学生時代に力を入れたこと 志望動機(なぜサプライチェーンマネジメント職なのか) 急な変更に対応したような経験はあるか 人事社員の方から基本的なパー...

25年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

筑波大学大学院 | 理系
【試験科目】言語・非言語・性格検査 【各科目の問題数と制限時間】通常のテストセンターと同様 【対策方法】・SPIの参考書の問題を繰り返し解くことで出題形式になれるようにしました。

25年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【試験科目】通常のSPI 英語なし 【対策方法】youtube

25年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【試験科目】言語、非言語、性格 【各科目の問題数と制限時間】一般的なものと同様 【対策方法】SPI対策本

25年卒 WEBテスト / インターンシップ選考

大学非公開 | 文理非公開
【試験科目】言語・非言語・性格 【各科目の問題数と制限時間】1時間程度 【対策方法】赤い参考書を3周ほどしました。

ルネサスエレクトロニクスのインターンのエントリーシート(ES)対策、通過例

インターン選考通過

26年卒 エントリーシート(ES) / インターンシップ選考

東京理科大学大学院 | 理系
【志望理由(1)】昨今の交通事故は減少傾向にあるものの、依然として悲惨な事故は起こっている。私自身も横断歩道を渡る際に、信号無視の自動車に接触しかけたことがあり、今後も事故は続くだろうという危機感を覚えたのである。運転手の意識が前提だが、自動車自身も歩行者の安全を守るなど、事故を未然に防ぐ設計が必要であると感じた。身をもっ...
インターン選考通過

26年卒 エントリーシート / インターンシップ選考

筑波大学大学院 | 理系
【上記テーマを「ご希望する理由」、「やってみたいこと」を記入してください。(300文字以内)】私はインターンシップを通じて、これまでの研究を自動車技術に活用する機会を求め、本テーマを志望します。私は日常的な自動車の運転から、高性能な車載製品などの先進的な技術が、安全な運転において重要であるかを実感しています。貴社は、世界ト...
4人の方が「参考になった」と言っています。
インターン選考通過

26年卒 エントリーシート / インターンシップ選考

大学非公開 | 文理非公開
【志望テーマについて希望する理由とやってみたいこと(300文字以内)】私がこのテーマを希望する理由は、貴社の最先端のデジタル製品開発を行っている現場において、私がこれまで得てきた知識をどのように活かすことができるかを体験したいと考えたためです。私はこれまで〇〇に関する研究を行ってきましたが、企業における研究開発を行う上で、...
インターン選考通過

26年卒 エントリーシート / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【テーマ第一志望の理由(300)  IOT機器向け、マイコン製品の設計,特性評価,及びコストダウンの必要性について体験する】貴社のマイコンは、世界トップクラスのシェアを誇る優れた製品であり、その開発から量産までのプロセスに強く興味を抱いています。特にこれからより需要が増すであろうIoT機器向けマイコン製品の設計や、費用削減...
1人の方が「参考になった」と言っています。
インターン選考通過

26年卒 エントリーシート(ES) / インターンシップ選考

京都大学大学院 | 理系
【半導体後工程Cuワイヤボンディング装置評価と解析技術を「ご希望する理由」、「やってみたいこと」を記入してください。(300字以内)】日常生活の中で、冷蔵庫の中の食品を確認する際に冷却を維持させるためできる限り素早く確認し扉を閉める経験が多々あります。私はリビングなどの離れた場所からでも容易に中身を確認できる透明冷蔵庫を開...
1人の方が「参考になった」と言っています。
インターン選考通過

26年卒 エントリーシート / インターンシップ選考

長崎大学大学院 | 理系
【希望テーマ理由】私が本テーマを志望した理由は半導体関連の研究を行っており、その知識を活かして参加できるテーマだと思い、その知識がモノづくりの現場でどのように使われているのかを知りたかったからです。自分の持つ知識と実習内容を結び付け、現場でしか体験できない技術について理解を深め、自身の研究活動に活かしたいと思いました。また...
3人の方が「参考になった」と言っています。
インターン選考通過

25年卒 エントリーシート(ES) / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【インターンで希望するテーマと理由】近年、IoTは非常に注目されており、IoTデバイス開発は発展を続けています。そのデバイスに搭載されているアナログ-デジタル変換器(ADC)は、センサを高精度にセンシングするために不可欠です。そこで、実際のシステム設計や回路設計を体験してみたいと思ったからです。私の所属する研究室では、アナ...
インターン選考通過

25年卒 エントリーシート / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【上記テーマ(第一希望)を希望する理由、やってみたいこと(300字)】車載ソフトウェア開発を効率化するための技術を、ソフトウェアとハードウェアの両面から学びたいと考えたからです。 研究で信号計測というアナログとデジタルの部分から、処理を実装するプログラミングスキル、機械学習アルゴリズムなどを学ぶ中で、将来的に幅広い技術を...
インターン選考通過

25年卒 エントリーシート(ES) / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【テーマを「ご希望する理由」、「やってみたいこと」を記入してください。】本テーマの希望理由は、プラットフォーム開発およびドライバの開発に私の持つ半導体検出器の性能評価の経験およびCをベースとしたプログラミングの知識がどう生きるかを知ることです。普段使用しているLinux環境で、PCがどのような構造で制御されているのかや、ド...
2人の方が「参考になった」と言っています。
インターン選考通過

25年卒 エントリーシート / インターンシップ選考

大学非公開 | 理系
【第1志望テーマを選んだ理由(300)】私は製品開発に興味と情熱を持っており、技術と創造性を組み合わせることで新しい製品やサービスを生み出すことに魅力を感じています。貴社はその分野で高い評価を受けており、革新的な製品を提供し続けています。そのため、貴社のインターンシップに参加することで、実際の製品開発に関わり、自身の能力を...
1人の方が「参考になった」と言っています。
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企業情報

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社(Renesas Electronics Corporation)

企業URL

https://www.renesas.com/jp/ja

所在地

〒135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号(豊洲フォレシア)

資本金

153,209百万円 (2023年12月末)

設立日

2002年11月1日(営業開始日 2010年4月1日)

事業内容

各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービス

従業員数

22,711名(連結 2024年12月末)

代表者

代表取締役社長兼CEO 柴田 英利

売上高

1兆3,485億円(連結 2024年通期)

営業利益率

29.5%(NON-GAAP、2024年)

売上高海外地域比率

約74%(2024年)

平均年収

943万円

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